SK海力士拟联手铠侠生产NAND，合并份额或将反超三星
全球存储芯片产业正经历深刻的结构性调整，企业间的战略协同与资源整合日趋活跃。在此背景下，SK海力士与铠侠潜在的NAND闪存合作动向引发业界广泛关注，其背后折射出产业竞争格局与供应链布局的深层演变。
SK海力士与铠侠拟联合生产NAND闪存
艾媒网（iiMedia.cn）获悉，SK集团会长崔泰源于9月1日在东京透露，SK海力士与铠侠联合生产NAND闪存已成为“选项之一”，SK集团正考虑在日本建设芯片工厂，并可能将合作延伸至供应链协调与联合研发领域。
相关数据显示，今年第二季度，三星电子以25%的NAND出货份额稳居全球首位，SK海力士以22%位居第二，铠侠则以14%排名第三。一旦双方深化合作，合并市场份额将达到约36%，届时将一举反超三星，重塑全球NAND闪存市场格局。
崔泰源还表示，SK已收到多个日本地方政府的招商提案，具体投资计划或于年内宣布，标志着这一潜在联盟正从构想阶段加速迈向实质操作。
存储芯片进入整合周期，AI算力需求倒逼供应链重构
全球NAND闪存市场长期处于高度集中状态，三星、SK海力士、铠侠、西部数据与美光五大巨头控制了大部分产能。近年来，随着3D NAND技术堆叠层数迈入300层以上时代，先进制程的研发投入与资本开支呈指数级增长，单一企业独自承担技术迭代压力的风险陡增。
与此同时，人工智能算力爆发带动企业级固态硬盘（eSSD）需求激增，高端存储芯片的供需结构正在发生深刻变化。在此背景下，行业整合成为应对成本压力、提升规模效应的必然选择。
SK海力士在HBM（高带宽内存）领域凭借与英伟达的深度合作取得领先优势，若能在NAND领域与铠侠形成产能与技术同盟，将有望在存储芯片全品类赛道上构建更稳固的护城河。
日本建厂与供应链协同或成落地抓手
相关报道显示，崔泰源此次访日不仅释放了联合生产的信号，更明确了在日本本土建设芯片工厂的可能性。
日本作为铠侠的大本营，拥有完善的半导体材料与设备供应链体系，且近年来通过巨额财政补贴吸引台积电、美光等厂商设厂，重建本土半导体制造的意图明显。SK海力士若选择在日本建厂，既可拉近与铠侠的地理与产能协同，又有望获得日本政府的政策与资金支持。
此外，双方合作若从联合生产进一步延伸至供应链协调与联合研发，将在原材料采购、设备共享及技术标准制定上形成绑定。不过，业内人士指出，目前该计划仍处于评估阶段，涉及技术路线兼容、产能分配、专利交叉授权及反垄断监管等多重复杂因素，最终落地仍面临不确定性。
科创芯片ETF短期调整难阻资金“吸金”
资本市场对半导体产业的风吹草动高度敏感。
截至2026年9月3日收盘，科创芯片设计ETF天弘（589070）跟踪的上证科创板芯片设计主题指数下跌0.37%，成分股涨跌互现，英集芯领涨10.75%，芯朋微、联芸科技分别上涨4.03%和2.95%。尽管指数短期承压，但该ETF在截至9月3日近5个交易日合计净流入达5146.98万元，单日最新净流入亦达1259.88万元。
分析人士认为，该ETF具备20%涨跌幅弹性，且成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，高度聚焦半导体高景气细分赛道。海外存储巨头整合预期与国内芯片设计板块的持续“吸金”形成对照，反映出投资者对半导体产业链自主可控与成长空间的长期信心并未因短期波动而动摇。
存储产业权力转移加速，自主可控紧迫性凸显
若SK海力士与铠侠的联盟最终成形，全球NAND闪存市场将由“三星独大”转向“韩日同盟对峙”的新均衡，产业话语权面临新一轮洗牌。这一变局不仅关乎商业竞争，更与全球半导体地缘政治深度交织——日本与韩国在美国的芯片同盟框架下加速产业捆绑，旨在强化对华技术优势的意图值得警惕。
上述产业格局的变动，建立在全球半导体市场整体处于扩张周期的基础之上。从市场基本盘来看，全球半导体市场正迎来新一轮增长周期。iiMedia Research（艾媒咨询）发布的数据显示，2025年全球半导体市场规模达6874亿美元，同比增长12.5%。正是在这种整体市场扩张与区域增长分化的背景下，头部企业的战略结盟对细分领域竞争格局的影响显得尤为关键。
对于中国半导体产业而言，外部巨头的合纵连横将进一步抬高追赶门槛，同时也倒逼国内产业链在NAND闪存、主控芯片及设备材料环节加快自主创新步伐。
短期来看，SK海力士的最终投资决策仍有待观察；而从更长周期审视，全球存储芯片行业的阵营化与区域化态势已逐渐明朗。中国在政策、资本与市场的多重支撑下，需以更高效的技术攻关与产能布局，方能在不断分化的全球半导体格局中维持战略主动权。
